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Proceso y ventajas del recubrimiento por evaporación de haz de electrones (EB-PVD)

La evaporación por haz de electrones es una tecnología de recubrimiento de superficies basada en una fuente de calor por haz de electrones y pertenece a laDeposición física de vaporEl principio es sencillo y eficaz. En este proceso, se enfoca un haz de electrones de alta energía sobre la superficie del material que se desea evaporar, que se calienta localmente por transferencia de energía, lo que provoca su evaporación en estado gaseoso. A continuación, el material gaseoso se deposita sobre el sustrato objetivo en un entorno de vacío para formar una fina película. Este proceso es altamente controlable y reproducible, lo que permite ajustar con precisión el grosor, la composición y la estructura de la película.

Componentes del equipo para la tecnología EB-PVD

El principio del revestimiento por evaporación de haz de electrones se basa en la transferencia de energía y la evaporación del material mediante un haz de electrones. En este proceso, el material se calienta a una temperatura lo suficientemente alta mediante el uso de una fuente de calor de haz de electrones como para que se transforme directamente de estado sólido a estado gaseoso y, a continuación, se deposite sobre el sustrato objetivo para formar una película fina.

Sistema de vacío: consta de una cámara de vacío, bombas de vacío y tuberías asociadas para garantizar que el proceso de deposición se realice en un entorno de alto vacío, normalmente entre 10^-5 y 10^-7 torr.

Fuente de haz de electrones: genera un haz de electrones de alta energía que se enfoca y escanea mediante un sistema de lentes electromagnéticas que controla la energía y la posición del haz.

Blanco: material, normalmente un metal, aleación o compuesto, que se calienta y evapora mediante el haz de electrones.

Mesa de sustrato: se utiliza para sujetar y calentar el sustrato, que puede girarse o inclinarse para mejorar la uniformidad de la película.

Sistema de control: incluye el control de la potencia del haz de electrones, el control del calentamiento del sustrato y el control del sistema de vacío.

Fases del proceso de la tecnología EB-PVD

  • Limpieza del sustrato
  • Sustrato de carga
  • Evacuación preliminar
  • Bombeo de alto vacío
  • Calentamiento por haz de electrones
  • Objetivo evaporación
  • transferencia de vapor
  • Formación de la película
  • Control del espesor
  • Control de la tasa de deposición
  • Sustratos refrigerantes
  • Retirar el sustrato

Ventajas de la tecnología EB-PVD

Alta tasa de deposición

  • Alta eficiencia: la alta densidad de energía del haz de electrones y la rápida evaporación del blanco pueden lograr una alta tasa de deposición, adecuada para la deposición de grandes áreas y películas gruesas.

Película de alta pureza

  • Entorno de vacío: la deposición se realiza en un entorno de alto vacío, lo que reduce eficazmente las impurezas y la contaminación y garantiza una elevada pureza de la película.
  • Fuente de material puro: el uso de blancos de alta pureza mejora aún más la pureza y la calidad de la película.

Control preciso

  • Espesor y composición: ajustando la potencia del haz de electrones, la velocidad de barrido y la temperatura del sustrato, se puede controlar con precisión el espesor y la composición de la película.
  • Uniformidad: la tecnología de barrido por haz electrónico permite una deposición uniforme sobre la superficie del sustrato, lo que garantiza un grosor constante de la película.

Adecuado para una amplia gama de materiales

  • Objetivos versátiles: la tecnología EB-PVD puede procesar una amplia gama de materiales, incluidos metales, aleaciones, óxidos, carburos y nitruros, y es muy adaptable.
  • Compuestos: La deposición de compuestos puede lograrse mediante coevaporación o evaporación multifuente para preparar películas finas con propiedades especiales.

Película de alta calidad

  • Alta densificación: La película depositada tiene una estructura densa y no porosa con excelentes propiedades mecánicas y durabilidad.
  • Fuerte adherencia: fuerte adherencia entre la película y el sustrato para entornos de alta tensión y alta temperatura.

Capacidad de deposición a alta temperatura

  • Resistencia a altas temperaturas: El EB-PVD es capaz de depositar en entornos de alta temperatura y es adecuado para la fabricación de materiales resistentes a altas temperaturas, como los revestimientos de barrera térmica (TBC).
  • Estabilidad a altas temperaturas: la película depositada tiene buena estabilidad a altas temperaturas y no es fácil de oxidar o descomponer.

poco daño

  • Protección del sustrato: Dado que el calentamiento por haz de electrones se concentra principalmente en el material objetivo, el efecto térmico sobre el sustrato es pequeño, y es adecuado para la deposición de película fina de materiales sensibles al calor.

Flexibilidad del proceso

  • Parámetros de proceso ajustables: la potencia del haz de electrones, el modo de escaneado, la temperatura del sustrato y otros parámetros de proceso pueden ajustarse para satisfacer diferentes requisitos de aplicación.
  • Aplicación versátil: puede realizarse la deposición de películas multicapa y gradientes para satisfacer diferentes requisitos funcionales y de rendimiento.

Medio ambiente y economía

  • Respetuoso con el medio ambiente: el entorno de alto vacío reduce el uso y la emisión de gases nocivos y es relativamente respetuoso con el medio ambiente.
  • Rentabilidad: Aunque la inversión inicial en el equipo es elevada, la alta eficacia y calidad del proceso de deposición reduce el coste de uso a largo plazo.

material vaporizable

Aluminio (Al), cobre (Cu), titanio (Ti), níquel (Ni), cromo (Cr), oro (Au,) plata (Ag), wolframio (W), óxido de indio y estaño (ITO), óxido de titanio (TiO2), óxido de aluminio (Al2O3), óxido de zinc (ZnO), óxido de hafnio (HfO2), carburo de titanio (TiC), carburo de silicio (SiC), nitruro de titanio (TiN), nitruro de silicio (Si3N4), nitruro de aluminio (AlN), boruro de titanio (TiB2), siliciuro de titanio (TiSi2), carbono (C), etc. Si3N4), nitruro de aluminio (AlN), boruro de titanio (TiB2), siliciuro de titanio (TiSi2), carbono (C), etc.

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