ナノインプリントステンシル丨カラムアレイ精密ナノ接合ソリューション

ホーム " カタログ " ナノエンボス加工を施したステンシル " ナノインプリントテンプレート丨ピラーアレイ精密ナノ接合ソリューション - Harbor Semiconductor

ナノインプリントステンシル - カラムアレイ

フォトニクスデバイス作製、ナノフィルター、表面増強ラマン分光法における、光学特性の変調と増強のための光伝搬と相互作用の制御への応用。

データシート

ナノインプリントステンシル製品シート

製品詳細

六角形のアレイ
六角形アレイII
正方形のアレイ
スクエアアレイII
特徴・メリット

周期性	有効面積	最大エッチング深さ（シリコン/石英）	カラム径	モデル
200nm	φ94 mm	120nm/100nm	90-120 nm	P200H_D100
350nm	φ50mm	350nm/150nm	120~170 nm	P350H_D50
450nm	φ94 mm	450nm/200nm	220~260 nm	P450H_D100
600nm	φ94 mm	450nm/200nm	250～300 nm	P600H_D100
750nm	51x51 mm²	450nm/200nm	250~350 nm	P750H_51x51
780nm	φ50mm	450nm/200nm	250~350 nm	P780H_D50
870nm	φ94 mm	550nm/250nm	300~400 nm	P870H_D100
1000nm	φ94 mm	600nm/300nm	300~500 nm	P1000H_D100
1500nm	51x51 mm²	600nm/300nm	400~650 nm	P1500H_51x51
1700nm	φ94 mm	800nm/400nm	500~800 nm	P1700H_D100
2000nm	φ94 mm	800nm/400nm	600~1100 nm	P2000H_D100
3000nm	φ94 mm	1000nm/400nm	600~1400 nm	P3000H_D100
3500nm	φ94 mm	1200nm/500nm	600~1600 nm	P3450H_D100
5200nm	φ94 mm	1200nm/500nm	600～2000 nm	P5200H_D100

周期性	有効面積	最大エッチング深さ（シリコン）	カラム径	モデル
200nm	20×20 mm²	90 nm	110 nm	P200H_20x20
350nm	20×20 mm²	260 nm	130 nm	P350H_20x20
400nm	5x5 mm²	100 nm	140 nm	P400H_D100
600nm	20×20 mm²	310 nm	300 nm	P600H_D100
750nm	25x25 mm²	260 nm	325 nm	P750H_D100
1000nm	20×20 mm²	470nm	470nm	P1000H_D100
1732nm	20×20 mm²	590 nm	880 nm	P1732H_D100
3000nm	20×20 mm²	5000 nm	1400 nm	P3000H_D100
3000nm	20×20 mm²	1200 nm	1800nm	P3000H_D100
250nm	14x14 mm²	150 nm	136 nm（円錐形）	P250H_D100

周期性	有効面積	最大エッチング深さ（シリコン/石英）	カラム径	モデル
125nm	φ90mm	90nm/60nm	50~70nm	P125S_D90
140nm	φ80mm	75nm/ -	50~75nm	P140S_D80
150nm	φ90mm	75nm/ -	60~85nm	P150S_D90
250nm	φ94mm	200nm/100nm	110～130nm	P250S_D90
280nm	Φ80mm	200nm/100nm	120~150nm	P280S_D80
300nm	φ94mm	200nm/100nm	120~160nm	P300S_D100
380nm	φ94mm	400nm/300nm	160~220nm	P380S_D100
400nm	φ94mm	300nm/100nm	150~220nm	P400S_D100
480nm	φ94mm	500nm/400nm	200~270nm	P480S_D100
500nm	φ94mm	400nm/150nm	200~250nm	P500S_D100
560nm	Φ80mm	400nm/150nm	200~280nm	P560S_D80
600nm	φ94mm	500nm/250nm	200~300nm	P600S_D100
760nm	φ94mm	700nm/600nm	330～430nm	P760S_D100
800nm	φ94mm	500nm/300nm	200~400nm	P800S_D100

周期性	有効面積	最大エッチング深さ（シリコン）	カラム径	モデル
125nm	10x10 mm²	95 nm	54 nm	P125S_10x10
125nm	20×20 mm²	95 nm	74 nm	P125S_20x20
150nm	20×20 mm²	135 nm	62 nm	P150S_20x20
150nm	5x5 mm²	110 nm	80 nm	P150S_5x5
250nm	20×20 mm²	200 nm	115 nm	P250S_20x20
300nm	14x14 mm²	170 nm	145 nm	P300S_D100
550nm	20×20 mm²	150nm/300nm	300 nm	P380S_D100
800nm	20×20 mm²	250 nm	440nm	P400S_D100

特徴・メリット

高解像度：当社のナノインプリントステンシルは優れた解像度を有しており、ナノスケールでの複雑なパターンを実現することができます。この高い解像度は、ナノスケール現象の研究やナノデバイスの作製に最適です。
高精度：当社のステンシル製造工程では、高度なナノファブリケーション技術により、高度な一貫性と精度を確保しています。この高い精度により、各ステンシルは信頼性が高く、再現性の高いパターン転写結果を提供することができます。
汎用性：当社のナノインプリントステンシルは、様々な用途に使用することができます。ナノトランジスタやナノワイヤーなどのナノエレクトロニクスデバイスの製造に使用できます。また、ナノグラティングやフォトニック結晶などのオプトエレクトロニクスデバイスの作製にも使用することができます。さらに、バイオチップやナノセンサーの製造など、バイオメディカル分野でも幅広い応用が可能です。
効率的：当社のナノインプリント孔版製造プロセスは、効率的でスケーラブルです。大量生産が可能で、大規模な製造ニーズに適しています。この高い効率性により、当社の製品は、産業界や学術界の研究において、第一の選択肢となっています。
カスタマイズ：お客様のニーズに合わせて、カスタマイズされたナノエンボス用ステンシルを提供することができます。特定のグラフィックデザインであれ、特別な材料要件であれ、当社のチームはお客様に最適なソリューションを提供します。