LPCVDとPECVDの違い
LPCVDとPECVDの違い 低圧環境下で高温で作動させることにより、L
ナノエンボス加工を施したステンシル ワイヤグリッドアレイ
ナノスケールで高解像度のパターン転写が可能な4インチナノインプリント用ステンシル。ナノエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、バイオメディカル、フォトニクスの分野で広く使用されています。
データシート
ナノインプリントステンシル製品シート
製品詳細
| 周期性 | 有効面積 | 最大エッチング深さ（シリコン/石英） | 線幅 | モデル |
| 125nm | φ80 mm | 100 nm/80 nm | 50~80 nm | L125_D80 |
| 140nm | φ80 mm | 100 nm/80 nm | 50～85 nm | L140_D80 |
| 150nm | φ 90 mm | 75 nm/80 nm | 60～100 nm | L150_D90 |
| 200nm | φ 90 mm | 150 nm/120 nm | 60-120 nm | L200_D90 |
| 250nm | φ94 mm | 200 nm/100 nm | 90～130 nm | L250_D100 |
| 280nm | φ80 mm | 200 nm/100 nm | 100~150 nm | L280_D80 |
| 300nm | φ94 mm | 300 nm/100 nm | 100-160 nm | L300_D100 |
| 380nm | φ94 mm | 400 nm/300 nm | 200-270 nm | L380_D100 |
| 400nm | φ94 mm | 300 nm/150 nm | 100~200 nm | L400_D100 |
| 470nm | φ94 mm | 500 nm/400 nm | 200-270 nm | L470_D100 |
| 500nm | φ94 mm | 400 nm/200 nm | 150～250 nm | L500_D100 |
| 560nm | φ80 mm | 400 nm/200 nm | 150~280 nm | L560_D80 |
| 600nm | φ94 mm | 500 nm/250 nm | 150～300 nm | L600_D100 |
| 760nm | φ94 mm | 700 nm/600 nm | 320~430 nm | L760_D100 |
| 800nm | φ94 mm | 600 nm/300 nm | 200-400 nm | L800_D100 |
| 1000nm | φ94 mm | 800 nm/400 nm | 200-500 nm | L1000_D100 |
| 1300nm | 75×55 mm² | 1000 nm/500 nm | 300~650 nm | L1300_75x55 |
| 周期性 | 有効面積 | 最大エッチング深さ（シリコン） | 線幅 | モデル |
| 125nm | 18×18 mm² | 120 nm | 60 nm | L125_18x18 |
| 150nm | 15x15 mm² | 150 nm | 75 nm | L150_15x15 |
| 200nm | 20×20 mm² | 60 nm/90 nm | 100 nm | L200_20x20 |
| 300nm | 30×30 mm² | 170 nm | 170 nm | L300_30x30 |
| 375nm | 20×20 mm² | 264 nm | 240 nm | L375_20x20 |
| 550nm | 20×20 mm² | 300 nm | 288 nm | L550_20x20 |
| 600nm | 20×20 mm² | 100 nm | 400 nm | L600_20x20 |
| 800nm | 20×20 mm² | 380nm | 400 nm | L800_20x20 |
| 1300nm | φ 50 mm | 480 nm | 750 nm | L1300_D50 |
| 4000nm | 32x32 mm² | 2000 nm/2300 nm | 2000 nm | L4000_32x32 |
| 4800nm | 25x25 mm² | 2600 nm/3200 nm | 2200nm | L4800_25x25 |
| 周期性 | 有効面積 | 最大エッチング深度 | 線幅 | モデル |
| 10μm | 20×20 mm² | 5 μm (シリコン) | 400 nm | VL10_20x20 |
| 80 μm | φ 100 mm | 7.5 μm (Ni) | 4 μm | VL80_D100 |
特徴・メリット
高解像度：当社のナノインプリントステンシルは優れた解像度を有しており、ナノスケールでの複雑なパターンを実現することができます。この高い解像度は、ナノスケール現象の研究やナノデバイスの作製に最適です。
高精度：当社のステンシル製造工程では、高度なナノファブリケーション技術により、高度な一貫性と精度を確保しています。この高い精度により、各ステンシルは信頼性が高く、再現性の高いパターン転写結果を提供することができます。
汎用性：当社のナノインプリントステンシルは、様々な用途に使用することができます。ナノトランジスタやナノワイヤーなどのナノエレクトロニクスデバイスの製造に使用できます。また、ナノグラティングやフォトニック結晶などのオプトエレクトロニクスデバイスの作製にも使用することができます。さらに、バイオチップやナノセンサーの製造など、バイオメディカル分野でも幅広い応用が可能です。
効率的：当社のナノインプリント孔版製造プロセスは、効率的でスケーラブルです。大量生産が可能で、大規模な製造ニーズに適しています。この高い効率性により、当社の製品は、産業界や学術界の研究において、第一の選択肢となっています。
カスタマイズ：お客様のニーズに合わせて、カスタマイズされたナノエンボス用ステンシルを提供することができます。特定のグラフィックデザインであれ、特別な材料要件であれ、当社のチームはお客様に最適なソリューションを提供します。
ナノインプリントテンプレート（ワイヤグリッドアレイ）は、ナノインプリント技術で使用される重要なコンポーネントです。これは、ターゲット材料の表面に高解像度のパターン転写を行うための、ナノスケールのワイヤーグリッドパターンからなるテンプレートである。
ナノインプリントステンシル（ワイヤグリッドアレイ）の最大の特徴は、ワイヤグリッド構造であることです。ワイヤーグリッドとは、細長い帯状のものが平行に並んだパターンのことである。このグリッドの間隔と大きさは、ナノスケールで精密に制御することができ、通常、数十から数百ナノメートルの間です。グリッドの形状や配置は、特定のアプリケーションの要件に合わせて設計・カスタマイズすることが可能です。
製品精度です：
高さ/奥行き：± 15% 線幅：± 10%
直径：± 10% 欠陥面積：< 1%
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