LPCVDとPECVDの違い
LPCVDとPECVDの違い 低圧環境下で高温で作動させることにより、L
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周期性 | 有効面積 | 最大エッチング深さ(シリコン/石英) | 穴径 | モデル |
200nm | φ94 mm | 120nm/100nm | 90-120 nm | H200H_D100 |
350nm | φ94 mm | 200nm/100nm | 120-170 nm | H350H_D100 |
450nm | φ 50 mm | 350nm/150nm | 220-260 nm | H450H_D50 |
500nm | φ94 mm | 500nm/300nm | 250-300 nm | H500H_D100 |
600nm | φ94 mm | 450nm/200nm | 250-300 nm | H600H_D100 |
750nm | 51x51 mm² | 450nm/200nm | 250-350 nm | H750H_51x51 |
780nm | φ 50 mm | 450nm/200nm | 250-380 nm | H780H_D50 |
870nm | φ94 mm | 550nm/250nm | 300-45 nm | H870H_D100 |
1000nm | φ94 mm | 600nm/300nm | 300~500 nm | H1000H_D100 |
1500nm | 51x51 mm² | 600nm/300nm | 400~650 nm | H1500H_51x51 |
1700nm | φ94 mm | 800nm/400nm | 500~800 nm | H1700H_D100 |
2000nm | φ94 mm | 800nm/400nm | 600~1100 nm | H2000H_D100 |
3000nm | φ94 mm | 1000nm/400nm | 600~1400 nm | H3000H_D100 |
3500nm | φ94 mm | 1200nm/500nm | 800~1600 nm | H3500H_D100 |
5200nm | φ94 mm | 1200nm/500nm | 1200~2400 nm | H5200H_D100 |
周期性 | 有効面積 | 最大エッチング深さ(シリコン) | 穴径 | モデル |
200nm | 20×20 mm² | 200 nm | 100 nm | H200H_20x20 |
345nm | 20×20 mm² | 200 nm | 227 nm | H345H_20x20 |
500nm | 0.2x0.2 mm² (9倍) | 110 nm | 50 nm | H500H_02x02 |
600nm | 20×20 mm² | 300 nm | 300 nm | H600H_25x25 |
750nm | 25x25 mm² | 420nm | 380nm | H750H_25x25 |
1000nm | 0.2x0.2 mm² (9倍) | 110 nm | 100 nm | H1000H_02x02 |
1010nm | 15x15 mm² | 300 nm | 390 nm | H1010H_15x15 |
1010nm | 25x25 mm² | 300 nm | 490 nm | H1010H_25x25 |
1010nm | 25x25 mm² | 350 nm | 470nm | H1010H_25x25 |
2000nm | 0.2x0.2 mm² (9倍) | 110 nm | 200 nm | H2000H_02x02 |
3000nm | 20×20 mm² | 850 nm | 1500nm | H3000H_20x20 |
3000nm | 20×20 mm² | 1500nm | 1200 nm | H3000H_20x20 |
周期性 | 有効面積 | 最大エッチング深さ(シリコン/石英) | 穴径 | モデル |
125nm | φ 90mm | 150nm/100nm | 50-70 nm | H125S_D90 |
125nm | 20×20 mm² | 90nm/- | 65 nm | H125S_20x20 |
140nm | Φ 80mm | 150nm/100nm | 60~80 nm | H140S_D80 |
150nm | φ 90mm | 150nm/100nm | 60~90 nm | H150S_D90 |
150nm | 5x5 mm² | 100nm/- | 65 nm | H150S_5x5 |
190nm | φ94mm | 180nm/140nm | 85~115 nm | H190S_D100 |
200nm | φ 90mm | 200nm/150nm | 70-120 nm | H200S_D90 |
200nm | 5x5 mm² | 110nm/- | 70 nm | H200S_5x5 |
235nm | φ94mm | 200nm/150nm | 100~135 nm | H235S_D100 |
250nm | 5x5 mm² | 110nm/- | 70 nm | H250S_5x5 |
300nm | φ 90mm | 200nm/150nm | 120-180 nm | H300S_D90 |
350nm | φ94mm | 300nm/150nm | 240~280nm | H350S_D100 |
350nm | 20×20 mm² | 300nm/- | 250 nm | H350S_20x20 |
375nm | φ94mm | 200nm/100nm | 150~250 nm | H375S_D100 |
特徴・メリット
高解像度:当社のナノインプリントステンシルは優れた解像度を有しており、ナノスケールでの複雑なパターンを実現することができます。この高い解像度は、ナノスケール現象の研究やナノデバイスの作製に最適です。
高精度:当社のステンシル製造工程では、高度なナノファブリケーション技術により、高度な一貫性と精度を確保しています。この高い精度により、各ステンシルは信頼性が高く、再現性の高いパターン転写結果を提供することができます。
汎用性:当社のナノインプリントステンシルは、様々な用途に使用することができます。ナノトランジスタやナノワイヤーなどのナノエレクトロニクスデバイスの製造に使用できます。また、ナノグラティングやフォトニック結晶などのオプトエレクトロニクスデバイスの作製にも使用することができます。さらに、バイオチップやナノセンサーの製造など、バイオメディカル分野でも幅広い応用が可能です。
効率的:当社のナノインプリント孔版製造プロセスは、効率的でスケーラブルです。大量生産が可能で、大規模な製造ニーズに適しています。この高い効率性により、当社の製品は、産業界や学術界の研究において、第一の選択肢となっています。
カスタマイズ:お客様のニーズに合わせて、カスタマイズされたナノエンボス用ステンシルを提供することができます。特定のグラフィックデザインであれ、特別な材料要件であれ、当社のチームはお客様に最適なソリューションを提供します。
ナノインプリントステンシルにおける六角形の穴アレイと長方形の穴アレイは、精密なナノスケールのパターン転写と作成を達成するために使用される穴のような構造の2つの共通のパターンです。
これら2種類のホールアレイテンプレートは、ナノインプリント時に高い作製均一性と再現性を実現し、精密なナノ構造作製の要求を満たすことができます。ナノファブリケーション、ナノデバイス研究、バイオメディカルアプリケーションなどの分野で重要なツールとソリューションを提供します。
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