플라즈마 증착 화학 기상 증착(PE-CVD)의 원리와 장점

플라즈마 강화 화학 기상 증착 기술(줄여서 PECVD)에는 DC PECVD, 펄스 DC PECVD, 금속-유기 화합물 PECVD, 무선 주파수 PECVD, 마이크로파 PECVD, 아크 광 PECVD 등 여러 종류가 있습니다. 최근에는 다양한 코팅 기술의 교차 수정으로 PVD와 PECVD 통합 복합 증착, 동일한 용광로에서의 입자 질화 및 PECVD 통합 복합 증착이 개발되었습니다. 물론 최근에는 다양한 코팅 기술의 교차 수정으로 동일한 용광로 장치 및 기술에서 PVD 및 PECVD 일체형 복합 증착, 입자 질화 및 PECVD 일체형 복합 증착이 지속적으로 개발되고 있습니다. 현재 대부분의 산업용 하드 코팅 재료 증착은 DC 및 펄스 DC PECVD 기술을 적용하고 있습니다.

PECVD의 초기 적용은 반도체 산업의 발전과 함께 반도체 재료의 가공, 즉 Si02의 반도체 재료 기판 증착에 실리콘을 사용하는 것으로 나타났습니다. 나중에 PECVD 공정의 특성에 따라 산업 생산에 특히 적합하며, 공정은 주로 보호 필름의 대 면적 부품 및 다양한 절연 층 및 DLC 필름의 증착에 사용되는 많은 마이크로 전자 산업 (예 : 집적 회로 공정 등)에서 사용되기 시작했습니다. PECVD 기술은 증착 챔버에 고전압 전기장을 적용하여 특정 압력 및 여기 소스(예: DC 고전압, 펄스 전원, 무선 주파수 또는 레이저 등)의 반응 가스, 얻은 에너지의 가속 효과로 전기장의 전자, 가스 내 중성 입자(원자 또는 분자가 비탄성 충돌을 일으킨 다음 2차 전자의 이온화, 더 나아가 가스 내 원자 입자, 생성된 2차 전자를 사용하는 기술입니다. 그들은 충돌 이온화에서 더 멀리 그리고 가스 원자와 분자가 전자를 생성하고 전자를 생성하므로 반복적으로 충돌과 이온화를 반복하면 많은 수의 전자와 이온을 생성합니다. 양입자와 음입자의 수가 같기 때문에 이를 플라즈마라고 합니다. 충돌 과정에서 하전 입자는 또한 합성물로 인해 중성 입자로 변환되고 과도한 에너지를 방출하기 위해 글로우 방전 형태로 변환됩니다. 반응 가스는 플라즈마로 구성된 매우 활성 분자 마당, 이온 및 원자 그룹으로 여기되어 증착 반응 온도를 크게 낮추고 화학 반응 과정을 가속화하여 증착 속도를 향상시킵니다.

반응 가스는 플라즈마로 구성된 매우 활성 분자, 원자, 이온 및 원자 그룹으로 여기되어 증착 반응 온도를 크게 낮추고 화학 반응 과정을 가속화하며 증착 속도를 향상시킵니다. 따라서 일반적인 PECVD 기술 증착 온도는 600 ℃ 이하로 기판 재료의 적용 범위를 넓히고 간단한 장비, 공작물의 작은 변형, 도금 주변의 우수한 성능, 코팅 균일 성, 편의성의 장점의 조성 조절로 기판 재료의 적용 범위를 넓 힙니다. CVD 기술의 높은 증착 온도와 기판 재료에 대한 엄격한 요구 사항의 단점을 극복하고 권선 도금 불량 및 PVD 기술의 복잡한 장비 문제를 피하여 산업 생산에 매우 적합합니다. 현재 PECVD는 주로 MEMS 산업(집적 회로 공정 등) 및 미세 필름 제조에 사용됩니다. 동시에 PECVD 기술은 우수한 균일 성 및 스텝 커버리지, 고밀도 증착 필름, 필름 층과 기판 사이의 높은 결합력 및 빠른 증착 속도로 바이너리 광학, 태양 광 필름, 구배 굴절률 광학 필름 및 레이저 손상 방지 필름에도 사용됩니다.