LPCVD和PECVD的区别
LPCVD和PECVD的区别 通过在低压环境下的高温操作，L
数据表
氮化硅薄膜窗口产品表
产品详情
售卖单位
10个/包
芯片尺寸
直径 3 mm
芯片厚度
100 μm，200 μm
薄膜厚度
10 nm，20 nm，30 nm，50 nm，75 nm，100 nm
窗口大小
0.1 x 0.1，0.25 x 0.25，0.5 x 0.5，0.75 x 0.75，1 x 1，1 x 0.25，1.5 x 0.1，1.5 x 0.2
窗口数量
1个，2个，9个
孔径大小
无孔
应力情况
＜250MPa
氮化硅薄膜的优点：
- 耐酸/碱性：样品可以在酸碱性条件下进行操作、研究。
- 耐高温：薄膜可承受高达1000°C的温度
- 无碳，易清洁
- 大视野
- 支持多种显微镜：例如 TEM、SEM、FIB、EDX、Auger、XPS 和 AFM/SPM
我们的产品优势：
- 坚固的氮化硅薄膜，厚度为 10、20、30、50、100 和 200 nm
- 标准规格：与标准3.05 mm TEM 支架完全兼容
- 提供标准 200 µm 和更薄的 100 µm 框架厚度
- 可根据需求提供亲水/疏水性的氮化硅薄膜
- 洁净、极平的氮化硅膜
- 具有高强度和平整度
- 低应力
我们的氮化硅支撑膜采用最先进的半导体和 MEMS 制造技术制造。非晶氮化硅支撑膜在硅晶片上生长至所需的膜厚度 10、20、30、50、100 或 200 纳米。
样品观察区是通过蚀刻掉硅基板上的一个窗口而创建的，留下完美光滑、有弹性且化学性能稳定的氮化硅薄膜。该框架采用 3 毫米硅盘制造。非常适合标准 TEM 支架。硅框架的标准厚度为 100μm/200µm，适合大多数 TEM 支架。
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