Принципы, преимущества и применение атомно-слоевого осаждения (ALD)
Атомно-слоевое осаждение (ALD) - это высокоточный метод получения покрытий, при котором толщина пленки может быть выращена на атомном уровне. Эта технология имеет большие преимущества с точки зрения контроля толщины пленки, равномерности толщины пленки и степени покрытия компонентов сложной формы, и считается очень эффективным методом для получения покрытий высокой плотности.
Принципы технологии ALD
Атомно-слоевое осаждение (ALD) позволяет наносить тонкие пленки слой за слоем на поверхность подложки путем поочередного введения газов-прекурсоров. Его основные этапы включают:
- Адсорбция прекурсора: прекурсор A вводится в реакционную камеру для формирования монослойного адсорбционного слоя на поверхности подложки.
- Импульсная очистка: очистка инертным газом неадсорбированных молекул прекурсоров и побочных продуктов.
- Реакция получения тонкой пленки: прекурсор B вводится и вступает в химическую реакцию с адсорбированным прекурсором A с образованием тонкой пленки в один атомный слой.
- Повторный цикл: осаждение тонких пленок слой за слоем путем поочередного введения прекурсоров A и B до достижения желаемой толщины.
Этот метод обеспечивает высокоточный контроль толщины и равномерное осаждение пленки.
Преимущества технологии ALD
- Высокоточный контроль толщины: ALD позволяет контролировать толщину на атомном уровне, осаждая один атомный слой за цикл реакции.
- Превосходная однородность пленки: ALD может формировать однородные пленки сложной морфологии и структуры с высоким аспектным отношением.
- Высококачественные пленки: Осажденные пленки плотные и непористые, с отличными механическими свойствами и химической стабильностью.
- Широкий диапазон применимости материалов: можно осаждать различные металлы, оксиды, нитриды и другие материалы.
- Низкая температура осаждения: подходит для термочувствительных подложек и устройств.
Применение технологии ALD
производство полупроводников
- Оксид затвора: Затворные оксидные слои для МОП-транзисторов, например, HfO2, Al2O3.
- Высокопрочный диэлектрик: Используется в устройствах памяти, таких как DRAM.
- диффузионный барьерНапример, TiN, TaN для металлических соединительных слоев.
оптико-электронное устройство
- Прозрачный проводящий оксид (TCO): например, ZnO, ITO для солнечных батарей и дисплеев.
- оптическое покрытие: Антибликовые покрытия, пленки, улучшающие проницаемость.
Энергетика и окружающая среда
- Материалы для аккумуляторов: Положительные и отрицательные покрытия для литий-ионных аккумуляторов.
- топливный элемент: слой катализатора и защитный слой.
биомедицина
- Биосовместимые покрытияНапример, TiO2, Al2O3 для медицинских приборов и имплантатов.
- Системы доставки лекарств: Контролирует скорость высвобождения препарата.
нанотехнологии
- Покрытия из нанопроводов и нанотрубок: для функциональных покрытий на наноструктурированных поверхностях.
- нанопористый материалНанопористые покрытия для использования в катализаторах, сенсорах и фильтрах.
Обрабатываемые материалы:
Оксид алюминия (Al2O3), оксид цинка (ZnO), оксид титана (TiO2), оксид гафния (HfO2), нитрид кремния (Si3N4),Нитрид титана (TiN)Нитрид алюминия (AlN), титан (Ti), платина (Pt)
Мы предлагаем Атомно-слоевое осаждение (ALD) Услуги по изготовлению OEM на заказне стесняйтесь оставлять комментарии.
Сопутствующие товары
Связанное чтение
Ключевая роль тонкопленочных окон из нитрида кремния в производстве и анализе полупроводников
Тонкопленочные окна из нитрида кремния стали важной частью полупроводниковой промышленности благодаря своим уникальным свойствам. Тонкопленочные окна из нитрида кремния имеют широкий спектр применения, от производства до анализа, и играют ключевую роль в разработке новых полупроводниковых приборов и материалов.
Поликристаллический кремний тонких пленок丨Effects of Stress на тонких пленок
Поликристаллический кремний тонкой пленки丨Effects of Stress на тонкой пленки Когда пленка прикреплена к подложке
Принцип и характеристики получения тонких пленок методом напыления
Принципы и особенности получения тонких пленок методом напыления Технология напыления представляет собой физическое осаждение из паровой фазы
