Различия между ICPCVD и PECVD для получения пленок нитрида кремния
Различия между ICPCVD и PECVD для получения пленок нитрида кремния IC
Зарождение и рост тонких пленок
Зарождение и рост тонкой пленки являются основными этапами технологии нанесения покрытий. Этап зарождения включает в себя образование крошечных ядер осаждаемого материала на поверхности подложки, на которое влияют температура, атмосфера и другие факторы; этап роста - это процесс постепенного уплотнения осажденного материала вокруг точки зарождения для формирования целостной пленки, который контролируется условиями осаждения. Понимание и оптимизация этих двух процессов необходимы для регулирования качества, толщины и структуры пленки, обеспечивая фундаментальную поддержку для исследования и применения технологий нанесения покрытий.
Что такое пленочная нуклеация?
Нуклеация тонкой пленки - это процесс, при котором атомы, молекулы или ионы осаждаемого материала скапливаются на поверхности подложки, образуя крошечные ядра или начальные точки в процессе нанесения покрытия. Нуклеация является начальным этапом формирования пленки и оказывает значительное влияние на конечную морфологию, структуру и свойства пленки. На процесс зарождения обычно влияют такие факторы, как температура, атмосфера, энергия поверхности подложки и обработка поверхности. Места зарождения затем выступают в качестве ядра роста пленки, постепенно расширяясь в процессе роста и формируя полную структуру пленки.
В отличие от объемных материалов, физические свойства тонких пленок тесно связаны с межфазными взаимодействиями между пленкой и подложкой. Это означает, что зарождение и рост тонких пленок играют ключевую роль в определении структурных и морфологических свойств получаемых материалов. Нуклеация - это процесс, в котором атомные ядра выступают в качестве шаблонов для роста твердотельных материалов.
Это явление обычно подразделяется на гомогенную нуклеацию, возникающую при образовании ядер в пределах основной исходной фазы, и негомогенную нуклеацию на структурных неоднородностях (например, на поверхности реактора, подложки или твердых примесей). Хотя концепция образования зародышей была исследована в начале 1920-х годов, эта область продолжает увлекать исследовательское сообщество новыми теоретическими моделями, передовыми методами определения характеристик in situ и новыми методами инженерии поверхности для управления зарождением и ростом тонких пленок.
Действительно, наноразмерные тонкие пленки и нанесение рисунка на них сегодня приобретают решающее значение в таких технологиях, как электроника, преобразование и хранение энергии, сенсоры и биомедицинские устройства. Научно-технический прогресс в этих областях требует более глубокого понимания и манипулирования обработкой поверхности на самых ранних этапах формирования материала. Ярким примером является развивающаяся область селективного осаждения (ASD), которая включает в себя ингибирование механизма зарождения для предотвращения осаждения на одном участке поверхности, позволяя при этом формировать желаемую тонкую пленку на соседнем участке.
Применение в зарождении и росте тонких пленок
Понимание и контроль различных аспектов, связанных с зарождением и ростом тонких пленок, играет важную роль во многих современных приложениях. Относительная важность поверхностной энергии ядра по сравнению с поверхностной энергией подложки играет ключевую роль в определении режима роста пленки. Такие методы обработки поверхности, как механическая полировка/скрабирование, мокрая химия, термический отжиг, плазменная обработка и т. д., могут быть эффективными для создания поверхностных дефектов. Такая обработка поверхности снижает поверхностную энергию и, таким образом, увеличивает плотность зарождения. В целом, свойства пленки сильно зависят от процесса зарождения.
Благодаря процессу нуклеации можно легко наблюдать изменения в кристаллической структуре и морфологии осажденных пленок. Например, пленки с крупными размерами зерен и высокой шероховатостью обычно получаются при низкой плотности зарождения, в то время как мелкие размеры зерен и гладкие пленки соответствуют высокой плотности зарождения. Стоит отметить, что кристаллическая структура и морфология могут оказывать значительное влияние на механические, электрические и оптические свойства материала. Например, твердость, пластичность и прочность материала в значительной степени зависят от его кристаллической структуры и морфологии. Аналогично, оптические свойства (например, прозрачность или цвет) материала могут зависеть от его кристаллической структуры и морфологии.
Помимо структуры и морфологии кристаллов, процесс зарождения влияет и на другие физические свойства материала, такие как тепло- и электропроводность, магнитные свойства. Например, формирование однородной кристаллической структуры в процессе зарождения может увеличить тепло- и электропроводность, в то время как формирование неоднородной кристаллической структуры может привести к увеличению электрического сопротивления и снижению тепло- и электропроводности. Поэтому управление процессом зарождения очень важно для определения конечных свойств пленки.
Одна из последних разработок и наиболее привлекательных областей, связанных с контролем зарождения тонких пленок, а именно ASD, является развивающейся областью исследований, которая включает в себя не только передовые методы осаждения и определения характеристик, но и глубокое понимание того, что происходит на поверхности подложки, то есть взаимодействия между молекулами газообразных прекурсоров и поверхностными функциональными группами. Зонально-селективное зарождение тонких пленок может быть достигнуто различными методами, от использования молекул-ингибиторов до сочетания с зоноселективным травлением (ASE), что открывает уникальные инструменты для проектирования и изготовления сложных наноструктур и устройств.
Мы предлагаем Услуги по индивидуализации процессов нанесения покрытий (микро- и нанофабрикации), Не стесняйтесь оставлять комментарии.
Связанное чтение
Как правильно выбрать тонкопленочное окно из нитрида кремния丨Научное руководство
С помощью этого руководства вы сможете принимать обоснованные решения для оптимизации процесса получения изображений с помощью ТЭМ, анализа РЭМ, исследований в области бионаук или производства полупроводников.
Поликремниевая тонкая пленка丨Различные причины, влияющие на деформацию пластин
Влияние тонкой пленки поликристаллического кремния на деформацию кремниевых пластин Во многих случаях, это должно быть
